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GT20	文件：168.62 Kbytes Page：2 Pages	PNEUMATIC TURBINE VIBRATIORS [VIBTEC]	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
GT20D101	文件：168.51 Kbytes Page：3 Pages	N CHANNEL TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION) DiscreteIGBTs(PDF:875KB)03/2011: http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 GT30G124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:430V -IGBTCurrentRatingIC(A)@Ta=25C:200A GT30J124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:600V -IGBTCurrentRatingIC(	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
GT20D201	文件：169.07 Kbytes Page：3 Pages	P CHANNEL TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) DiscreteIGBTs(PDF:875KB)03/2011: http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 GT30G124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:430V -IGBTCurrentRatingIC(A)@Ta=25C:200A GT30J124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:600V -IGBTCurrentRatingIC(	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
GT20G101	文件：179.99 Kbytes Page：3 Pages	N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS) STROBEFLASHAPPLICATIONS ●HighInputImpedance ●LowSaturationVoltage:VCE(sat)=8V(Max.)(IC=130A) ●Enhancement−Mode ●20VGateDrive	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
GT20G101SM	文件：177.99 Kbytes Page：3 Pages	N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS) STROBEFLASHAPPLICATIONS ●HighInputImpedance ●LowSaturationVoltage:VCE(sat)=8V(Max.)(IC=130A) ●Enhancement−Mode ●20VGateDrive	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
GT20G102	文件：183.83 Kbytes Page：3 Pages	N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS) STROBEFLASHAPPLICATIONS ●HighInputImpedance ●LowSaturationVoltage:VCE(sat)=8.0V(Max.)(IC=130A) ●Enhancement−Mode ●12VGateDrive	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
GT20G102SM	文件：179.81 Kbytes Page：3 Pages	N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS) STROBEFLASHAPPLICATIONS ●HighInputImpedance ●LowSaturationVoltage:VCE(sat)=8V(Max.)(IC=130A) ●Enhancement−Mode ●12VGateDrive	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
GT20J101	文件：259.67 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT HighPowerSwitchingApplications •Third-generationIGBT •Enhancementmodetype •Highspeed:tf=0.30μs(max) •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.7V(max)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
GT20J101	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
GT20J301	文件：325.27 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) DiscreteIGBTs(PDF:875KB)03/2011: http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 GT30G124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:430V -IGBTCurrentRatingIC(A)@Ta=25C:200A GT30J124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:600V -IGBTCurrentRatingIC(	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
GT20J301	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
GT20J311	文件：322.58 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) DiscreteIGBTs(PDF:875KB)03/2011: http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 GT30G124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:430V -IGBTCurrentRatingIC(A)@Ta=25C:200A GT30J124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:600V -IGBTCurrentRatingIC(	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
GT20J321	文件：329.82 Kbytes Page：7 Pages	High Power Switching Applications Fast Switching Applications HighPowerSwitchingApplications FastSwitchingApplications •Fourth-generationIGBT •Enhancementmodetype •Fastswitching(FS):Operatingfrequencyupto50kHz(reference) Highspeed:tf=0.04μs(typ.) Lowswitchingloss:Eon=0.40mJ(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
GT20J321	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
GT20J341	文件：251.62 Kbytes Page：10 Pages	Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT Features (1)Sixthgeneration (2)Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.5V(typ.)(IC=20A) (3)FRDincludedbetweenemitterandcollector Applications •MotorDrivers	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
GT2001	文件：384.45 Kbytes Page：25 Pages	SPECIFICATIONS FOR LCD MODULE	JHEJewel Hill Electronic 巨豪电子有限公司	JHE
GT2001HWDMNRNP-V00-NOCX	文件：384.45 Kbytes Page：25 Pages	SPECIFICATIONS FOR LCD MODULE	JHEJewel Hill Electronic 巨豪电子有限公司	JHE
GT2001HWDMPRNP-V00-NOCX	文件：384.45 Kbytes Page：25 Pages	SPECIFICATIONS FOR LCD MODULE	JHEJewel Hill Electronic 巨豪电子有限公司	JHE
GT2001HWDNNRNP-V00-NOCX	文件：384.45 Kbytes Page：25 Pages	SPECIFICATIONS FOR LCD MODULE	JHEJewel Hill Electronic 巨豪电子有限公司	JHE
GT2001HWDNPRNP-V00-NOCX	文件：384.45 Kbytes Page：25 Pages	SPECIFICATIONS FOR LCD MODULE	JHEJewel Hill Electronic 巨豪电子有限公司	JHE

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详细参数

型号：
GT20
制造商：
VIBTEC
功能描述：
PNUEMATIC TURBINE VIBRATOR
功能描述：
PNUEMATIC TURBINE VIBRATOR; Centrifugal Force

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多GT20供应商更新时间2024-6-18 15:52:00

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