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110N06L	文件：2.10135 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
HLDG110N06	文件：603.77 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
HLDG110N06	文件：826.53 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 汇利达广东汇利达半导体有限公司
HY110N06T	文件：252.38 Kbytes Page：4 Pages	55V/110AN-ChannelEnhancementModeMOSFET 55V,RDS(ON)=5.5mW@VGS=10V,ID=30A Features •LowOn-StateResistance •ExcellentGateChargexRDS(ON)Product(FOM) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •SpeciallyDesigenedforDC-DCConverter,Off-lineUPS,AutomotiveSystem,SolenoidandMotorControl •I	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司
IPB110N06L	文件：448.32 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰Power-Transistor Features •Forfastswitchingconvertersandsync.rectification •N-channelenhancement-logiclevel •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •Pb-freeleadplating,RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPB110N06LG	文件：448.32 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰Power-Transistor Features •Forfastswitchingconvertersandsync.rectification •N-channelenhancement-logiclevel •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •Pb-freeleadplating,RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPB110N06L-G	文件：448.32 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰Power-Transistor Features •Forfastswitchingconvertersandsync.rectification •N-channelenhancement-logiclevel •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •Pb-freeleadplating,RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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IPP110N06L-G	文件：448.32 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰Power-Transistor Features •Forfastswitchingconvertersandsync.rectification •N-channelenhancement-logiclevel •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •Pb-freeleadplating,RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IXFK110N06	文件：156.88 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •Internationalstandardpackages •JEDECTO-264AA,epoxymeet UL94V-0,flammabilityclassification •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFK110N06	文件：328.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
TSM110N06	文件：107.28 Kbytes Page：6 Pages	55VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳宝隆芯业科技有限公司	GT110N06S	Goford Semiconductor	23+	SMD	54000	原装正品实单可谈库存现货	询价
深圳市弘扬芯城科技有限公司	GT110N06S	GOFORD(谷峰)	23+	SOP8	6000		询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	GT1110AZ45	POWER	2020+	32TQFP	16000	原装正品现货	询价
深圳鹏芯半导体科技(集团)有限公司	GT1110AZ45	POWER	12+	32TQFP	1170	绝对有货实单价钱可谈	询价
深圳市亿顺芯科技有限公司	GT1110AZ45	POWER	2022+	32TQFP	57550		询价
深圳市创新迹电子有限公司	GT1110AZ45	POWER	23+	32TQFP	6000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	GT1110AZ45	POWER	23+	32TQFP	6000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市壹芯创科技有限公司	GT111443-10	RS PRO	22+		2500	原装现货支持实单	询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	GT11-1822PCF(70)	Hirose	2020+	N/A	8	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
深圳市易讯博科技有限公司	GT11-1822PCF(70)	Hirose	22+	NA	8	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价

更多GT110N06S供应商更新时间2024-4-27 15:30:00

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