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GT10J312

N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

HIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS MOTORCONTROLAPPLICATIONS ●Third-generationIGBT ●Enhancementmodetype ●Highspeed:tf=0.30μs(Max.) ●Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.7V(Max.) ●FRDincludedbetweenemitterandcollector

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

GT10J312

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

GT10J312

SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

GT10J312_06

SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

GT10J312(Q)

包装:管件 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 10A 60W TO220SM

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

详细参数

  • 型号:

    GT10J312

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FL

  • 功能描述:

    TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 10A 3PIN TO-220SM - Rail/Tube

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更多GT10J312供应商 更新时间2024-5-7 16:36:00