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GS61004B-MR	文件：849.14 Kbytes Page：14 Pages	100V enhancement mode GaN transistor Features •100Venhancementmodepowerswitch •Bottom-sidecooledconfiguration •RDS(on)=15mΩ •IDS(max)=45A •Ultra-lowFOMIslandTechnology®die •LowinductanceGaNPX®package •Easygatedriverequirements(0Vto6V) •Transienttolerantgatedrive(-20V/+10V) •Veryhi	GAN GaN Systems	GAN
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MP61004	文件：146.09 Kbytes Page：2 Pages	GaAsPINDIODES	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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TPS61004	文件：393.2 Kbytes Page：22 Pages	SINGLE-ANDDUAL-CELLBOOSTCONVERTERWITHSTART-UPINTOFULLLOAD	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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更多GS61004B-MR供应商更新时间2024-6-19 19:47:00

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