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GRM32NR72A104KA01

capacitor data sheet

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

GRM32NR72A104KA01B

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

freescaleFreescaleiscreatingasmarter

飞思卡尔

GRM32NR72A104KA01B

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

GRM32NR72A104KA01L

60W GaN WIDEBAND POWER AMPLIFIER

RFMD

RF Micro Devices

GRM32NR72A104KA01L

30W GaN WIDEBAND POWER AMPLIFIER

RFMD

RF Micro Devices

GRM32NR72A104KA01L

90W GaN WIDE-BAND POWER AMPLIFIER

RFMD

RF Micro Devices

GRM32NR72A104KA01L

120W GaN WIDEBAND POWER AMPLIFIER

RFMD

RF Micro Devices

GRM32NR72A104KA01K

包装:卷带(TR) 封装/外壳:1210(3225 公制) 类别:电容器 陶瓷电容器 描述:CAP CER 0.1UF 100V X7R 1210

Murata Electronics

Murata Electronics

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GRM32NR72A104KA01L

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳:1210(3225 公制) 类别:电容器 陶瓷电容器 描述:CAP CER 0.1UF 100V X7R 1210

Murata Electronics

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GRM32NR72A104KA01L

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳:1210(3225 公制) 类别:电容器 陶瓷电容器 描述:CAP CER 0.1UF 100V X7R 1210

Murata Electronics

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详细参数

  • 型号:

    GRM32NR72A104KA01

  • 功能描述:

    多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 1210 0.10uF 100volt X7R +/-10%

  • RoHS:

  • 制造商:

    American Technical Ceramics(ATC)

  • 电容:

    10 pF

  • 容差:

    1 %

  • 电压额定值:

    250 V

  • 温度系数/代码:

    C0G(NP0) 外壳代码 -

  • in:

    0505 外壳代码 -

  • mm:

    1414

  • 工作温度范围:

    - 55 C to + 125 C

  • 产品:

    Low ESR MLCCs

  • 封装:

    Reel

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更多GRM32NR72A104KA01供应商 更新时间2024-5-26 23:00:00