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GQM2195C2ER30BB12D中文资料PDF规格书

GQM2195C2ER30BB12D
厂商型号

GQM2195C2ER30BB12D

参数属性

GQM2195C2ER30BB12D 封装/外壳为0805(2012 公制);包装为卷带(TR);类别为电容器 > 陶瓷电容器;GQM2195C2ER30BB12D应用范围:RF,微波,高频;产品描述:CAP CER 0.3PF 250V NP0 0805

功能描述

RF Power GaN Transistor

文件大小

379.6 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-11 17:35:00

产品属性

  • 产品编号:

    GQM2195C2ER30BB12D

  • 制造商:

    Murata Electronics

  • 类别:

    电容器 > 陶瓷电容器

  • 系列:

    GQM

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 容差:

    ±0.1pF

  • 电压 - 额定:

    250V

  • 温度系数:

    C0G,NP0

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 特性:

    高 Q 值,低损耗

  • 应用:

    RF,微波,高频

  • 安装类型:

    表面贴装,MLCC

  • 封装/外壳:

    0805(2012 公制)

  • 大小 / 尺寸:

    0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)

  • 厚度(最大值):

    0.039"(1.00mm)

  • 描述:

    CAP CER 0.3PF 250V NP0 0805

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MURATA/村田
18+
SMD
900000
优势贴片电容全新原装进口现货欢迎咨询
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Murata Electronics
21+
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50000
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