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GQM2195C2E100GB12D	文件：491.07 Kbytes Page：15 Pages	Airfast RF Power GaN Transistor 1Generaldescription This85WasymmetricalDohertyRFpowerGaNtransistorisdesignedforcellularbasestationapplicationsrequiringverywideinstantaneousbandwidthcapabilitycoveringthefrequencyrangeof1930to1995MHz. Thispartischaracterizedandperformanceisguaranteedforap	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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Airfast RF Power GaN Transistor

1Generaldescription This85WasymmetricalDohertyRFpowerGaNtransistorisdesignedforcellularbasestationapplicationsrequiringverywideinstantaneousbandwidthcapabilitycoveringthefrequencyrangeof1930to1995MHz. Thispartischaracterizedandperformanceisguaranteedforap

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

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Murata Electronics

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包装：卷带（TR）封装/外壳：0805（2012 公制）类别：电容器陶瓷电容器描述：CAP CER 10PF 250V NP0 0805

Murata Electronics

产品属性

产品编号：
GQM2195C2E100GB12D
制造商：
Murata Electronics
类别：
电容器 > 陶瓷电容器
系列：
GQM
包装：
卷带（TR）
容差：
±2%
电压 - 额定：
250V
温度系数：
C0G，NP0
工作温度：
-55°C ~ 125°C
特性：
高 Q 值，低损耗
应用：
RF，微波，高频
安装类型：
表面贴装，MLCC
封装/外壳：
0805（2012 公制）
大小 / 尺寸：
0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）
厚度（最大值）：
0.039"（1.00mm）
描述：
CAP CER 10PF 250V NP0 0805

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更多GQM2195C2E100GB12D供应商更新时间2024-5-16 16:50:00

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