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GQM2195C2A180JB12D

RF Power LDMOS Transistor

N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET This63wattasymmetricalDohertyRFpowerLDMOStransistorisdesigned forcellularbasestationapplicationsrequiringverywideinstantaneous bandwidthcapabilitycoveringthefrequencyrangeof1805to1880MHz. TypicalDohertySingle--Carrier

nxpNXP Semiconductors

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更多GQM2195C2A180JB12D供应商 更新时间2024-5-21 9:00:00