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GIB10B60KD1	文件：386.19 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureRatedat175°C Benefits •BenchmarkE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRGIB10B60KD1P	文件：452.82 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureRatedat175°C •Lead-Free Benefits	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRGIB10B60KD1PBF	文件：444.23 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureRatedat175°C •Lead-	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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