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P25Q80LE-UVH-KW	文件：2.93354 Mbytes Page：73 Pages	UltraLowPower,8M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q80LEisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q80LE-UVH-KY	文件：2.93354 Mbytes Page：73 Pages	UltraLowPower,8M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q80LEisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q80LE-UXH-IR	文件：2.93354 Mbytes Page：73 Pages	UltraLowPower,8M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q80LEisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
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P25Q80LE-UXH-KY	文件：2.93354 Mbytes Page：73 Pages	UltraLowPower,8M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q80LEisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q80L-NXH-IR	文件：2.93905 Mbytes Page：70 Pages	UltraLowPower,8M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q80LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wit	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA

产品属性

产品编号：
GD25Q80CSIG
制造商：
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
8Mb（1M x 8）
存储器接口：
SPI - 四 I/O
写周期时间 - 字，页：
50µs，2.4ms
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOP
描述：
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP

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