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50N60	文件：242.78 Kbytes Page：11 Pages	IGBT-FieldStopII	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
50N60	文件：153.27 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
50N60	文件：173.07 Kbytes Page：5 Pages	Polar3HiperFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
50N60G-TND-T	文件：345.38 Kbytes Page：8 Pages	50Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
50N60L-TND-T	文件：345.38 Kbytes Page：8 Pages	50Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
AIKW50N60CT	文件：1.97708 Mbytes Page：16 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryantiparallelEmitterControlleddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
DAM50N60C	文件：277.47 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
DAM50N60G	文件：234.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
DTGN50N60	文件：1.47824 Mbytes Page：10 Pages	Extremelyenhancedavalanchecapability GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,highenergy efficiencyandshortcircuitruggedness. Itisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpower supplies(UPS),generalinverters. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
FGA50N60LS	文件：493.84 Kbytes Page：7 Pages	IGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGW50N60H	文件：645.08 Kbytes Page：6 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/50A	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FGW50N60HD	文件：646.63 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/50A	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FGW50N60VD	文件：671.72 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/50A	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
G50N60F	文件：176.19 Kbytes Page：9 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
G50N60HS	文件：355.61 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration HighSpeedIGBTinNPT-technology •30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforoperationabove30kHz •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGB50N60T	文件：648.1 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGB50N60T	文件：402.03 Kbytes Page：13 Pages	LOWLOSSIGBTINTRENCHANDFIELDSTOPTECHNOLOGY LowLossIGBTinTrenchandFieldstoptechnology •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerSupply •TrenchandFieldstoptechnologyfor600Vapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGB50N60T	文件：467.71 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchStoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGP50N60T	文件：454.22 Kbytes Page：13 Pages	LowLossIGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGP50N60T	文件：402.03 Kbytes Page：13 Pages	LOWLOSSIGBTINTRENCHANDFIELDSTOPTECHNOLOGY LowLossIGBTinTrenchandFieldstoptechnology •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerSupply •TrenchandFieldstoptechnologyfor600Vapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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更多G50N60RUFD供应商更新时间2024-6-4 16:25:00

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