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STGW40H120DF2	文件：821.36 Kbytes Page：17 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Hseries1200V,40Ahighspeed Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThesedevicesarepartoftheHseries ofIGBTs,whichrepresentsanoptimum compromisebetweenconductionandswitching lossestomaximizetheefficiencyofhigh switchingfrequenc	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STGW40H120DF2	文件：358.45 Kbytes Page：3 Pages	TrenchgateField-StopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.1V@IC=40A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·Veryfastrecoveryantiparalleldiode APPLICATIONS ·Uninterruptiblepowersupply ·Weldingmachines ·Photovoltaicinverters ·Highfrequencyconverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
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