G3SBA80中文资料PDF规格书
厂商型号 |
G3SBA80 |
参数属性 | G3SBA80 封装/外壳为4-SIP,GBU;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 桥式整流器;产品描述:BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.3A GBU |
功能描述 | SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 50 to 1000V Current: 4.0A |
文件大小 |
128.699 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | Gulf Semiconductor |
企业简称 |
GULFSEMI【海湾电子】 |
中文名称 | 海湾电子(山东)有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-15 18:06:00 |
G3SBA80规格书详情
Voltage: 50 to 1000V Current: 4.0A
Features
Ideal for printed circuit board
Glass passivated chip junction
High surge current capability
This series is UL listed under Recognized Component Index, file number E185029
产品属性
- 产品编号:
G3SBA80-E3/51
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 桥式整流器
- 包装:
托盘
- 二极管类型:
Single Phase
- 技术:
标准
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
4-SIP,GBU
- 供应商器件封装:
GBU
- 描述:
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.3A GBU
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
DIP |
860000 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+21+ |
DIP |
3250 |
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Vishay Semiconductor Diodes Di |
21+ |
GBU |
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VISHAY/威世 |
10+ |
DIP |
3250 |
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VISHAY |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY |
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DIP |
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VISHAY-威世 |
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4-SIP |
9328 |
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DIP |
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VISHAY/威世 |
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