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CH374S	文件：220.34 Kbytes Page：13 Pages	USBBusInterfaceChIp	WCHJiangsu Qinheng Co. , Ltd. 南京沁恒江苏沁恒股份有限公司	WCH
CH374T	文件：220.34 Kbytes Page：13 Pages	USBBusInterfaceChIp	WCHJiangsu Qinheng Co. , Ltd. 南京沁恒江苏沁恒股份有限公司	WCH
D374	文件：56.13 Kbytes Page：8 Pages	D374-TypeDigitalUncooled2.5Gbits/sLaserModule	agere 杰尔	agere
F-374P	文件：172.34 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSFORMERPCMountDualPrimary	TRIAD TRIAD MAGNETICS	TRIAD
FCT374A	文件：198.67 Kbytes Page：15 Pages	8-BITREGISTERSWITH3-STATEOUTPUTS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
FCT374C	文件：198.67 Kbytes Page：15 Pages	8-BITREGISTERSWITH3-STATEOUTPUTS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
HC374	文件：304.93 Kbytes Page：15 Pages	OCTALEDGE-TRIGGEREDD-TYPEFLIP-FLOPSWITH3-STATEOUTPUTS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
HC374	文件：1.38514 Mbytes Page：23 Pages	OCTALEDGE-TRIGGEREDD-TYPEFLIP-FLOPSWITH3-STATEOUTPUTS	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
HC374A	文件：196.35 Kbytes Page：8 Pages	Octal3-StateNon-InvertingDFlip-Flop Octal3-StateNon-InvertingDFlip-Flop High−PerformanceSilicon−GateCMOS TheMC74HC374AisidenticalinpinouttotheLS374.ThedeviceinputsarecompatiblewithstandardCMOSoutputs;withpullupresistors,theyarecompatiblewithLSTTLoutputs. Datameetingthesetuptimeisclock	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
HCS374D	文件：571.42 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCS374D	文件：175.06 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Description TheIntersilHCS374MSisaRadiationHardenednon-invertingoctalD-type,positiveedgetriggeredflip-flopwiththree-stateableoutputs.TheHCS374MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnology.Theeightflip-flopsenterdataintotheirregistersontheLOW-to-HIGHtransitionoftheclock	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCS374D/SAMPLE	文件：550.98 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCS374DMSR	文件：175.06 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Description TheIntersilHCS374MSisaRadiationHardenednon-invertingoctalD-type,positiveedgetriggeredflip-flopwiththree-stateableoutputs.TheHCS374MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnology.Theeightflip-flopsenterdataintotheirregistersontheLOW-to-HIGHtransitionoftheclock	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCS374DMSR	文件：550.98 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCS374DMSR	文件：571.42 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCS374HMSR	文件：571.42 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCS374HMSR	文件：175.06 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Description TheIntersilHCS374MSisaRadiationHardenednon-invertingoctalD-type,positiveedgetriggeredflip-flopwiththree-stateableoutputs.TheHCS374MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnology.Theeightflip-flopsenterdataintotheirregistersontheLOW-to-HIGHtransitionoftheclock	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCS374HMSR	文件：550.98 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCS374K	文件：175.06 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Description TheIntersilHCS374MSisaRadiationHardenednon-invertingoctalD-type,positiveedgetriggeredflip-flopwiththree-stateableoutputs.TheHCS374MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnology.Theeightflip-flopsenterdataintotheirregistersontheLOW-to-HIGHtransitionoftheclock	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCS374K	文件：571.42 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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更多G374A供应商更新时间2024-5-16 10:50:00

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