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HGTG34N100E2

34A,1000VN-ChannelIGBT

Description TheHGTG34N100E2isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvarieso

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更多G34N100E2供应商 更新时间2024-4-27 16:12:00