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27N120BN	文件：178.54 Kbytes Page：8 Pages	72A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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HGTG27N120BN	文件：82.96 Kbytes Page：7 Pages	72A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG27N120BNisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowonstateconductionlossofabip	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HGTG27N120BN	文件：396.11 Kbytes Page：4 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.7V@IC=34A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
HGTG27N120BN	文件：212.1 Kbytes Page：8 Pages	72A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG27N120BNandHGT5A27N120BNareNonPunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconduct	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HGTG27N120BN	文件：178.54 Kbytes Page：8 Pages	72A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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