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25N60	文件：65.05 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
25N60N	文件：406.07 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET–N-Channel,SUPREMOS600V,25A,126m Description TheSUPREMOS®MOSFETisONSemiconductor’snext generationofhighvoltagesuper−junction(SJ)technologyemploying adeeptrenchfillingprocessthatdifferentiatesitfromthe conventionalSJMOSFETs.Thisadvancedtechnologyandprecise processcontrolprovideslowestRspon−re	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAM25N60B	文件：231.97 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
DAM25N60D	文件：244.61 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
FCH25N60N	文件：570.33 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCH25N60N	文件：406.07 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET–N-Channel,SUPREMOS600V,25A,126m Description TheSUPREMOS®MOSFETisONSemiconductor’snext generationofhighvoltagesuper−junction(SJ)technologyemploying adeeptrenchfillingprocessthatdifferentiatesitfromthe conventionalSJMOSFETs.Thisadvancedtechnologyandprecise processcontrolprovideslowestRspon−re	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FCH25N60N	文件：371.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=126mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCI25N60N	文件：364.06 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelSupreMOS짰MOSFET600V,25A,125m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCP25N60N	文件：332.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.125Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCP25N60N	文件：460.72 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelSupreMOS짰MOSFET600V,25A,125m廓	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MTY25N60E	文件：197.25 Kbytes Page：8 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTY25N60E	文件：236.99 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET25AMPERES600VOLTSRDS(on)=0.21OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
SCT25N60FD	文件：305.82 Kbytes Page：6 Pages	Triac	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SCT25N60P	文件：371.56 Kbytes Page：6 Pages	Triac	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SIHA25N60EFL	文件：319.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHA25N60EFL	文件：149.87 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiodeandLowGateCharge	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHA25N60EFL	文件：163.71 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiodeandLowGateCharge FEATURES •Reducedfigure-of-merit(FOM):RonxQg •FastbodydiodeMOSFETusingEseries technology •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •IncreasedrobustnessduetolowQrr •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcateg	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHG25N60EFL	文件：143.67 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiodeandLowGateCharge	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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SIHP25N60EFL	文件：328.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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更多G25N60UFD供应商更新时间2024-5-1 16:16:00

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