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198	文件：61.55 Kbytes Page：2 Pages	MINIATUREFUSES-5x20mm	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特富斯（Littelfuse）力特公司	Littelfuse
198PHR	文件：115.78 Kbytes Page：8 Pages	AluminumElectrolyticCapacitors,PowerHighRippleCurrentSnap-In	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
198PHR-SI	文件：118.06 Kbytes Page：8 Pages	AluminumElectrolyticCapacitors	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
198PHR-SI	文件：98.5 Kbytes Page：7 Pages	AluminumCapacitorsPowerHighRippleCurrentSnap-In	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
198PHR-SI	文件：115.71 Kbytes Page：8 Pages	AluminumElectrolyticCapacitors,PowerHighRippleCurrentSnap-In FEATURES •Usefullife:15000hat+85°C •Veryhighripplecurrentcapability •Highreliability •LowESR •Polarizedaluminumelectrolyticcapacitors, non-solidelectrolyte •Largetypes,miniaturizeddimensions,cylindrical aluminumcase,insulatedwithabluesleeve •Keyedpolarit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
A198S	文件：213.11 Kbytes Page：4 Pages	FastAsymmetricThyristors FastAsymmetricThyristors	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
AB198	文件：4.22285 Mbytes Page：29 Pages	AssemblyandHandlingInformation	LUMILEDSLUMILEDS LUMILEDS	LUMILEDS
ADP198	文件：419.31 Kbytes Page：16 Pages	LogicControlled,1A,High-SideLoad GENERALDESCRIPTION TheADP198isahigh-sideloadswitchdesignedforoperationbetween1.65Vand6.5Vthatisprotectedagainstreversecurrentflowfromoutputtoinput.Aloadswitchprovidespowerdomainisolation,therebyhelpingtokeepsubsystemsisolatedandpoweredindependentlyande	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADP198CP-EVALZ	文件：419.31 Kbytes Page：16 Pages	LogicControlled,1A,High-SideLoad GENERALDESCRIPTION TheADP198isahigh-sideloadswitchdesignedforoperationbetween1.65Vand6.5Vthatisprotectedagainstreversecurrentflowfromoutputtoinput.Aloadswitchprovidespowerdomainisolation,therebyhelpingtokeepsubsystemsisolatedandpoweredindependentlyande	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADP198CP-EVALZ	文件：2.02988 Mbytes Page：10 Pages	EvaluationKit INTRODUCTION ThiskitcontainseverythingneededforrapidprototypingwiththeSA310KR3-phasedriver.Withamultitude ofcircuitoptions,theEK76offersversatilitywhenincomestoconnectinginputs,measuringoutputs, andconditioningsignalstothespecificapplicationenvironment.High-	Apex Apex Microtechnology Corporation	Apex
BB198	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BB198	文件：204.2 Kbytes Page：8 Pages	VariablecapacitancediodeforVCOandVCXOSmallplasticSMDpackage	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BCR198	文件：885.86 Kbytes Page：12 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR198	文件：35.22 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit) PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ,R2=47kΩ)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCR198	文件：491.4 Kbytes Page：10 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR198	文件：872.88 Kbytes Page：11 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR198F	文件：885.86 Kbytes Page：12 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR198F	文件：491.4 Kbytes Page：10 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR198S	文件：115.15 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconDigitalTransistorArray PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR198S	文件：43.81 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconDigitalTransistorArray(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit) PNPSiliconDigitalTransistorArray •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Two(galvanic)internalisolatedTransistorsinonepackage •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ,R2=47kΩ)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS

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详细参数

型号：
G198
制造商：
SLI EBT
功能描述：
LAMP G3.1/2 MES 6V 0.36W

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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