选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司3年
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IXYSMODULE |
6000 |
23+ |
15年原装正品企业 |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司3年
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IXYSMODULE |
6000 |
23+ |
15年原装正品企业 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
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IXYSMOSFETMODTRENCHISOPLUS-D |
1690 |
23+ |
专业代理销售半导体模块,能提供更多数量 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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IXYSNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IXYS17-SMD,扁平引线 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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IXYS17-SMD,鸥翼 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
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IXYSN/A |
18 |
1931+ |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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IXYS17-SMD,扁平引线 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
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IXYSNA |
18 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
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IXYSICFULLBRIDGE3PHISOPLUSSM |
1690 |
23+ |
专业代理销售半导体模块,能提供更多数量 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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IXYS-艾赛斯TO-247-3 |
2368 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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IXYS17-SMD,鸥翼 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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IXYSSMD-17 |
326 |
1809+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
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IXYSN/A |
18 |
1931+ |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
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IXYSNA |
18 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司3年
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IXYSMODULE |
6000 |
23+ |
15年原装正品企业 |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司3年
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IXYSMODULE |
6000 |
23+ |
15年原装正品企业 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
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IXYSICFULLBRIDGE3PHISOPLUSST |
1690 |
23+ |
专业代理销售半导体模块,能提供更多数量 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
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IXYSICFULLBRIDGE3PHISOPLUSSM |
1690 |
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专业代理销售半导体模块,能提供更多数量 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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IXYS-艾赛斯TO-247-3 |
2368 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
GWM120-0075P3采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
GWM120-0075P3图片
GWM120-0075P3-SL中文资料Alldatasheet PDF
更多GWM120-0075P3功能描述:MOSFET MOD TRENCH ISOPLUS-DIL RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
GWM120-0075P3-SL功能描述:MOSFET 120 Amps 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
GWM120-0075P3-SL SAM功能描述:分立半导体模块 120 Amps 75V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
GWM120-0075P3-SMD功能描述:MOSFET 120 Amps 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
GWM120-0075P3-SMD SAM功能描述:分立半导体模块 120 Amps 75V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: