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GT10J303制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 10A 3PIN TO-220(NIS) - Rail/Tube 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:IGBT 600V TO-220NIS

GT10J303(Q)功能描述:IGBT 晶体管 IGBT, 600V, 10A RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

GT10J303_06制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS