FZT851QTA中文资料PDF规格书
厂商型号 |
FZT851QTA |
参数属性 | FZT851QTA 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 60V 6A SOT223-3 |
功能描述 | 60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 |
文件大小 |
351.83 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | Diodes Incorporated |
企业简称 |
DIODES【达尔科技】 |
中文名称 | 达尔科技官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-4-29 23:00:00 |
FZT851QTA规格书详情
Features
• BVCEO > 60V
• IC = 6A High Continuous Collector Current
• ICM = 20A Peak Pulse Current
• Low Saturation Voltage VCE(sat) < 100mV @ 1A
• RCE(sat) = 44mΩ for a Low Equivalent On-Resistance
• hFE Specified Up to 10A for a High Gain Hold Up
• Complementary PNP Type: FZT951
• Lead-Free Finish; RoHS compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
• PPAP capable (Note 4)
产品属性
- 产品编号:
FZT851QTA
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
375mV @ 300mA,6A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
50nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 2A,1V
- 频率 - 跃迁:
130MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-261-4,TO-261AA
- 供应商器件封装:
SOT-223-3
- 描述:
TRANS NPN 60V 6A SOT223-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES(美台) |
23+ |
SOT-223 |
1612 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
Diodes Incorporated |
23+ |
TO-261-4,TO-261AA |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
21+ |
SOT-223 |
8800 |
公司只做原装正品 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
NA/ |
15913 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
DIODES(美台) |
23+ |
SOT223 |
6000 |
询价 | |||
DIODES/美台 |
23+ |
SOT-223 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
SOT-223 |
25630 |
原装正品 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
2023+ |
SOT-223 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
DIODES |
21+ |
SOT89 |
382 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
SOT-223 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 |