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FZT851QTA中文资料PDF规格书

FZT851QTA
厂商型号

FZT851QTA

参数属性

FZT851QTA 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 60V 6A SOT223-3

功能描述

60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223

文件大小

351.83 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES达尔科技

中文名称

达尔科技官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-4-29 23:00:00

FZT851QTA规格书详情

Features

• BVCEO > 60V

• IC = 6A High Continuous Collector Current

• ICM = 20A Peak Pulse Current

• Low Saturation Voltage VCE(sat) < 100mV @ 1A

• RCE(sat) = 44mΩ for a Low Equivalent On-Resistance

• hFE Specified Up to 10A for a High Gain Hold Up

• Complementary PNP Type: FZT951

• Lead-Free Finish; RoHS compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

• PPAP capable (Note 4)

产品属性

  • 产品编号:

    FZT851QTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    375mV @ 300mA,6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 2A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    130MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-3

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 6A SOT223-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES(美台)
23+
SOT-223
1612
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
询价
Diodes Incorporated
23+
TO-261-4,TO-261AA
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
询价
DIODES/美台
21+
SOT-223
8800
公司只做原装正品
询价
DIODES/美台
23+
NA/
15913
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
DIODES(美台)
23+
SOT223
6000
询价
DIODES/美台
23+
SOT-223
50000
原装正品 支持实单
询价
DIODES/美台
23+
SOT-223
25630
原装正品
询价
DIODES/美台
2023+
SOT-223
6000
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供
询价
DIODES
21+
SOT89
382
原装现货假一赔十
询价
DIODES/美台
23+
SOT-223
12700
买原装认准中赛美
询价