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FZT692B	文件：92.54 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR FEATURES HighGain+Verylowsaturationvoltage APPLICATIONS Darlingtonreplacement *Relaydrivers,DC-DCconverters	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT692B	文件：37.03 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silcon Planar Medium Power High Gain Transistor Features ●Highgain+verylowsaturationvoltage.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FZT692B	文件：104.51 Kbytes Page：2 Pages	SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR Features •BVCEO>70V •BVCBO>70V •IC=2.0AHighContinuousCurrent •hFE>400forHighGain@0.5A •Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •PPAPCapable(Note4)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FZT692B	文件：1.91129 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES HighVoltage Lowsaturationvoltages	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
FZT692B	文件：556.13 Kbytes Page：4 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •HighVoltage •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Marking:ZT692B	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
FZT692B	文件：1.2563 Mbytes Page：7 Pages	70V NPN MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR IN SOT223 Features •BVCEO>70V •BVCBO>70V •IC=2.0AHighContinuousCurrent •hFE>400forHighGain@0.5A •Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •PPAPCapable(Note4)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FZT692BQ	文件：865.25 Kbytes Page：7 Pages	70V NPN MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR IN SOT223 Features BVCEO>70V BVCBO>70V IC=2AHighContinuousCurrent hFE>400forHighGain@0.5A ComplementaryPNPType:FZT792A Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheFZT692BQissuitableforautomotiveapplicat	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FZT692BQTA	文件：1.2563 Mbytes Page：7 Pages	70V NPN MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR IN SOT223 Features •BVCEO>70V •BVCBO>70V •IC=2.0AHighContinuousCurrent •hFE>400forHighGain@0.5A •Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •PPAPCapable(Note4)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FZT692BQTA	文件：865.25 Kbytes Page：7 Pages	70V NPN MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR IN SOT223 Features BVCEO>70V BVCBO>70V IC=2AHighContinuousCurrent hFE>400forHighGain@0.5A ComplementaryPNPType:FZT792A Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheFZT692BQissuitableforautomotiveapplicat	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FZT692BTA	文件：1.2563 Mbytes Page：7 Pages	70V NPN MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR IN SOT223 Features •BVCEO>70V •BVCBO>70V •IC=2.0AHighContinuousCurrent •hFE>400forHighGain@0.5A •Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •PPAPCapable(Note4)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FZT692B_15	文件：916.12 Kbytes Page：7 Pages	70V NPN MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR IN SOT223	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FZT692BTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 70V 2A SOT223-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威	PAM
FZT692BTC	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 70V 2A SOT223-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威	PAM
FZT692B-TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 70V 2.5A SOT223	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
692	文件：417.82 Kbytes Page：4 Pages	횠12.7mmmountingBlackanodisedaluminiumhousing	MARL Marl International Ltd	MARL
692A	文件：406.56 Kbytes Page：16 Pages	LowPowerMicroprocessorSupervisory	EXAREXAR Corporation 艾科嘉艾科嘉（杭州）信息技术有限公司	EXAR
692A	文件：411.97 Kbytes Page：16 Pages	LowPowerMicroprocessorSupervisorywithBatterySwitch-Over	SipexSipex Corporation 西伯斯\|迈凌西伯斯公司	Sipex
ADM692	文件：199.52 Kbytes Page：16 Pages	MicroprocessorSupervisoryCircuits GENERALDESCRIPTION TheADM690–ADM695familyofsupervisorycircuitsofferscompletesinglechipsolutionsforpowersupplymonitoringandbatterycontrolfunctionsinmicroprocessorsystems.ThesefunctionsincludeµPreset,backupbatteryswitchover,watchdogtimer,CMOSRAMwriteprotection,a	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADM692	文件：284.07 Kbytes Page：16 Pages	MicroprocessorSupervisoryCircuits GENERALDESCRIPTION TheADM690–ADM695familyofsupervisorycircuitsofferscompletesinglechipsolutionsforpowersupplymonitoringandbatterycontrolfunctionsinmicroprocessorsystems.ThesefunctionsincludeµPreset,backupbatteryswitchover,watchdogtimer,CMOSRAMwriteprotection,a	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADM692A	文件：327.37 Kbytes Page：8 Pages	MicroprocessorSupervisoryCircuits GENERALDESCRIPTION TheADM690A/ADM692A/ADM802L/M/ADM805L/Mfamilyofsupervisorycircuitsofferscompletesinglechipsolutionsforpowersupplymonitoringandbatterycontrolfunctionsinmicroprocessorsystems.ThesefunctionsincludeµPreset,backupbatteryswitchover,watchdogtimer,andpo	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

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详细参数

型号：
FZT692B
制造商：
Diodes Incorporated
功能描述：
TRANSISTOR NPN SOT-223
功能描述：
TRANSISTOR, NPN, SOT-223
功能描述：
TRANSISTOR, NPN, 70V, 2A, 2W, SOT-223; Transistor
Polarity：
NPN; Collector Emitter Voltage
V(br)ceo：
70V; Transition Frequency Typ
ft：
150MHz; Power Dissipation
Pd：
2W; DC Collector
Current：
2A; DC Current Gain
hFE：
500; No. of
Pins：
4 ;RoHS
Compliant：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	FZT692B	DIODES(美台)	23+	SOT-223	1612	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	FZT692B	MCC/美微科		SOT223	7906200		询价
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更多FZT692B供应商更新时间2024-4-30 10:01:00

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