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IRFP450LCPBF	文件：1.62434 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP450LCPBF	文件：1.33729 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=500V RDS(on)=0.40Ω ID=14A Description ThisnewseriesofLowChargeHEXFETPowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedHexfettechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeeds	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP450LCPBF	文件：1.54602 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)500 RDS(on)(Ω)VGS=10V0.40 Qg(Max.)(nC)74 Qgs(nC)19 Qgd(nC)35 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedPowerMOSFETtechnologythedeviceimprovement	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP450N	文件：166.09 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossSpecified •Lead(Pb)-free APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •Uninter	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP450N	文件：121.08 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)max=0.37ohm,Id=14A) Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossSpecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●Uninterrupt	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP450NPBF	文件：174.57 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossSpecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●Uninterrupt	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP450NPBF	文件：166.09 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossSpecified •Lead(Pb)-free APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •Uninter	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP450PBF	文件：877.49 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPOWERMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP450PBF	文件：1.54159 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludet	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP450PBF	文件：883.54 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP450R	文件：67.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS450	文件：687.65 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS450	文件：265.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS450A	文件：232.81 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET(500V,0.4ohm,9.6A) FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=500V ♦LowerRDS(ON):0.308Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS450A	文件：64.64 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES •AvalancheRuggedTechnology •RuggedGateOxideTechnology •LowerInputCapacitance •ImprovedGateCharge •ExtendedSafeOperatingArea	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS450B	文件：687.65 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFW450	文件：95.17 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRGP450U	文件：260.47 Kbytes Page：6 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=500V,@Vge=15V,Ic=33A) Introduction Thereliabilityreportisasummaryofthetestdatacollatedsincetheimplementationofthereliabilityprogramme.Thisreportwillbeperiodicallyupdatedtypicallyonaquarterlybasis.Futurepublicationsofthisreportwillalsoincludeasappropriateadditionalinformationto	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGP450U	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRKDL450	文件：122.43 Kbytes Page：7 Pages	SUPERMAGN-A-PAKPowerModules Features ■HighpowerFASTrecoverydiodeseries ■Highcurrentcapability ■3000VRMSisolatingvoltagewithnon-toxicsubstrate ■Highsurgecapability ■Highvoltageratingsupto2500V ■Industrialstandardpackage ■ULrecognitionpending TypicalApplications ■SnubberforlargeGTO	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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详细参数

型号：
FWPQ-450A
功能描述：
保险丝 700V HIGH SPEED FUSE
RoHS：
否
制造商：
Littelfuse
产品：
Surface Mount Fuses
电流额定值：
0.5 A
电压额定值：
600 V
保险丝类型：
Fast Acting
保险丝大小/组：
Nano
尺寸：
12.1 mm L x 4.5 mm W
端接类型：
SMD/SMT
系列：
485

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更多FWPQ-450A供应商更新时间2024-6-1 15:00:00

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