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DT264URK	文件：2.0558 Mbytes Page：7 Pages	Aneconomicalmeansoftransferringpower	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
FCN-264D	文件：383.07 Kbytes Page：5 Pages	DIFFERENTIALCONNECTOR	FujitsuFujitsū Kabushiki-gaisha 富士通富士通株式会社	Fujitsu
FCS-D264SG	文件：131.59 Kbytes Page：1 Pages	.100IDCSOCKET.100X.100[2.54X2.54]CENTERLINE	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH
FDW264P	文件：153 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V–12V). Features •–9.7A,–20V.RDS(ON)=10.0mΩ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FRE264D	文件：48.14 Kbytes Page：6 Pages	23A,250V,0.130Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronhardness	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRE264H	文件：48.14 Kbytes Page：6 Pages	23A,250V,0.130Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronhardness	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRE264R	文件：48.14 Kbytes Page：6 Pages	23A,250V,0.130Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronhardness	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRK264	文件：49.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FRK264D	文件：61.57 Kbytes Page：7 Pages	34A,250V,0.120Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description IntersilhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronhardnessrangi	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRK264H	文件：61.57 Kbytes Page：7 Pages	34A,250V,0.120Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description IntersilhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronhardnessrangi	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRK264R	文件：61.57 Kbytes Page：7 Pages	34A,250V,0.120Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description IntersilhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronhardnessrangi	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FSE-264-K	文件：97.41 Kbytes Page：3 Pages	Space-savingPlug-inSignalConditionersF-UNIT	MSYSTEMM-System Co., Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
FSE-264-K/Q	文件：97.41 Kbytes Page：3 Pages	Space-savingPlug-inSignalConditionersF-UNIT	MSYSTEMM-System Co., Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
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