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FTR-LYCA048Y	文件：416.47 Kbytes Page：7 Pages	POWER RELAY 1 POLE - 6A (Medium Load Control) SLIM TYPE	FujitsuFujitsu Component Limited. 富士通富士通株式会社	Fujitsu
FTR-LYCA048Y	文件：618.75 Kbytes Page：10 Pages	POWER RELAY 1 POLE - 6A (MEDIUM LOAD CONTROL) SLIM TYPE	FujitsuFujitsu Component Limited. 富士通富士通株式会社	Fujitsu
FTR-LYCA048YSK	文件：416.47 Kbytes Page：7 Pages	POWER RELAY 1 POLE - 6A (Medium Load Control) SLIM TYPE	FujitsuFujitsu Component Limited. 富士通富士通株式会社	Fujitsu
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GFC048	文件：126.59 Kbytes Page：1 Pages	NChannelPowerMOSFETwithextremelylowRDS(on)	GSG Gunter Seniconductor GmbH.	GSG
GPCE048A	文件：3.16977 Mbytes Page：25 Pages	16-bitSoundControllerWith24KX16ROM	GENERALPLUS Generalplus Technology Inc.	GENERALPLUS
GPCE048A-NnnV-C	文件：3.16977 Mbytes Page：25 Pages	16-bitSoundControllerWith24KX16ROM	GENERALPLUS Generalplus Technology Inc.	GENERALPLUS
HMC-C048	文件：258.25 Kbytes Page：6 Pages	LOWNOISEAMPLIFIERMODULE,5-9GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
IIRFP048N	文件：334.92 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •UltraLowOn-resistance •FastSwitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤16mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ILSEU-Gi048-D	文件：120.45 Kbytes Page：2 Pages	ExternalMountHydrostaticLevelTransmitter	CYNERGY3 Cynergy3 Co	CYNERGY3
IRFP048	文件：444.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP048	文件：1.58435 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
IRFP048	文件：1.57958 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP048	文件：1.57958 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP048	文件：1.55765 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP048	文件：174.09 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=0.018ohm,Id=70A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ●Dynamicdv/dtRating ●IsolatedCentralMountingHole ●175°COperatingTemperature ●Ease	IRF International Rectifier	IRF
IRFP048	文件：1.61131 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP048	文件：896.81 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Isolatedcentralmountinghole •175°Coperatingtemperature •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutp	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP048N	文件：117.23 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.016ohm,Id=64A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP048N	文件：334.92 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •UltraLowOn-resistance •FastSwitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤16mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
FTR-LYCA048Y
功能描述：
通用继电器 POWER
RoHS：
否
制造商：
Omron Electronics
触点形式：
1 Form A(SPST-NO)
触点电流额定值：
150 A
线圈电压：
24 VDC
线圈电阻：
144 Ohms
线圈电流：
167 mA
切换电压：
400 V
安装风格：
Chassis

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FTR-LYCA048Y供应商更新时间2024-9-19 15:18:00

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