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FTD2114KWLT1G中文资料PDF规格书

FTD2114KWLT1G
厂商型号

FTD2114KWLT1G

功能描述

Epitaxial planar type NPN silicon transistor

文件大小

126.58 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 First Silicon Co., Ltd
企业简称

FS

中文名称

First Silicon Co., Ltd官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-11 17:28:00

FTD2114KWLT1G规格书详情

Features

1) High DC current gain.

hFE = 1200 (Typ.)

2) High emitter-base voltage.

VEBO =12V (Min.)

3) Low VCE(sat).

VCE (sat) = 0.18V (Typ.)

(IC / IB = 500mA / 20mA)

4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.

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