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A-MCUP-80100-Y-R	文件：45.83 Kbytes Page：1 Pages	Cat5eUTPPatchCable	ASSMANNASSMANN WSW COMPONENTS ASSMANN WSW组件有限公司	ASSMANN
DSM80100M	文件：424.29 Kbytes Page：6 Pages	PNPTRANSISTORWITHDUALSERIESSWITCHINGDIODE	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MBR80100	文件：123.23 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowerDiode,80A Features •FastSwitching •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Highefficiency,lowpowerloss •NormalandReversepolarity	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MBR80100	文件：569.37 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SCHOTTKYRECTIFIER Features •HighSurgeCapability •Typesupto100VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MBR80100	文件：122.33 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESSTUDTYPE80A 80AmpRectifier20-100Volts Features HighSurgeCapability Typesupto100VVRRM	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
MBR80100R	文件：569.37 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SCHOTTKYRECTIFIER Features •HighSurgeCapability •Typesupto100VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MBR80100R	文件：349.02 Kbytes Page：3 Pages	HighSurgeCapability Features •HighSurgeCapability •Typesfrom45Vto100VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBR80100R	文件：123.23 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowerDiode,80A Features •FastSwitching •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Highefficiency,lowpowerloss •NormalandReversepolarity	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MBR80100R	文件：349.02 Kbytes Page：3 Pages	NotESDSensitive Features •HighSurgeCapability •Typesfrom45Vto100VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBR80100R	文件：661.71 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerSchottkyDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBR80100R	文件：122.33 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESSTUDTYPE80A 80AmpRectifier20-100Volts Features HighSurgeCapability Typesupto100VVRRM	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
MLO80100	文件：100.78 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountVoltageControlledOscillatorEGSM920-960MHz Description TheMLO80100-01020isafundamentalsingleendedoscillatordesignedforuseincostsensitivewirelessandtelemetryapplications.Thedevicehasbeenoptimisedbycarefulselectionofthebipolartransistorandvaractordiodeforlowphasenoiseandhighlylineartuningcharacterist	MACOM Tyco Electronics	MACOM
RU80100R	文件：496.77 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司	RUICHIPS
RU80100R	文件：1.48216 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
RU80100S	文件：334.74 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司	RUICHIPS
RURG80100	文件：32.619 Kbytes Page：3 Pages	80A,1000VUltrafastDiode TheRURG80100isanultrafastdiodewithsoftrecoverycharacteristics(trr	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RURG80100	文件：328.13 Kbytes Page：4 Pages	80A,1000VUltrafastDiode TheRURG80100isanultrafastdiodewithsoftrecoverycharacteristics(trr	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RURG80100	文件：242.24 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRectifier FEATURES •WithTO-247packaging •Highperformancefastrecoverydiode •Lowlossandsoftrecovery •Lowforwardvoltagedrop •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Switchingpowersupply •Powerswitchingcircuits •Generalp	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
RURU80100	文件：32.14 Kbytes Page：3 Pages	80A,1000VUltrafastDiode TheRURU80100isanultrafastdiodewithsoftrecoverycharacteristics(trr	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
SPB80100	文件：120.43 Kbytes Page：2 Pages	4X80ASchottkyBarrierRectifier	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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产品属性

产品编号：
FST80100
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
卷带（TR）
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
40A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
螺钉安装
封装/外壳：
3-SIP
供应商器件封装：
3 个迷你型调制器，小型引脚
描述：
DIODE MODULE 100V 40A 3MINIMOD

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