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BD136	文件：751.53 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features ComplementtoBD135. Applications Mediumpowerlinearandswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BD136	文件：85.15 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES •HighCurrent	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BD136	文件：216.56 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
BD136	文件：74.34 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALPOWERTRANSISTORS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD136	文件：1.07635 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●HighCurrent ●ComplementToBD135,BD137AndBD139	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BD136	文件：76.38 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD136	文件：44.51 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS Description TheseepitaxialplanartransistorsaremountedintheSOT-32plasticpackage.Theyaredesignedforaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasi-complementarycircuits.TheNPNtypesaretheBD135andBD139,andthecomplementaryPNPtypesaretheBD136andBD140. Fe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD136	文件：104.52 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconPNPTransistor 1.5AMPEREPOWERTRANSISTORSPNPSILICON45,60,80VOLTS10WATTS ...designedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. •DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=0.15Adc •BD136,138,140arecomplementarywithBD135,137,139	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
BD136	文件：188.34 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS POWERTRANSISTORSPNPSILICON	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BD136	文件：41.75 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications Features •ComplementtoBD135,BD137andBD139respectively Applications •MediumPowerLinearandSwitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD136	文件：44.4 Kbytes Page：8 Pages	PNPpowertransistors DESCRIPTION PNPpowertransistorinaTO-126;SOT32plasticpackage.NPNcomplements:BD135,BD137andBD139. FEATURES •Highcurrent(max.1.5A) •Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS •Generalpurposepowerapplications,e.g.driverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisi	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BD136G	文件：86.87 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium-PowerSiliconPNPTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD136G	文件：42.46 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconPNPTransistor PlasticMediumPowerSiliconPNPTransistor Thisseriesofplastic,medium−powersiliconPNPtransistorsaredesignedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable* •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD136-TU	文件：1.28503 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighCurrent ComplementToBD135,BD137AndBD139	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BFP136	文件：60.58 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems) NPNSiliconRFTransistor •ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems •fT=5.5GHz •Goldmetalizationforhighreliability	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFP136	文件：79.18 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ●ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems ●fT=5.5GHz ●Goldmetalizationforhighreliability	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP136W	文件：79.18 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ●ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems ●fT=5.5GHz ●Goldmetalizationforhighreliability	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP136W	文件：60.58 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems) NPNSiliconRFTransistor •ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems •fT=5.5GHz •Goldmetalizationforhighreliability	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFQ136	文件：73.48 Kbytes Page：9 Pages	NPN4GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNtransistorinafour-leaddual-emitterSOT122Aenvelopewithaceramiccap.Allleadsareisolatedfromthestud.Diffusedemitter-ballastingresistorsandtheapplicationofgoldsandwich metallizationensureanoptimumtemperatureprofileandexcellentreliabilitypropertie	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGY136	文件：106.46 Kbytes Page：10 Pages	VHFpoweramplifiermodules DESCRIPTION TheBGY135andBGY136aretwo-stagebroadbandRFamplifiermodulesinaSOT132Bpackage.EachmoduleconsistsoftwoNPNtransistordiestogetherwithlumped-elementmatchingcomponents. FEATURES •12.5Vnominalsupplyvoltage •18Woutputpower. APPLICATIONS •Mobilecommunica	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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产品属性

产品编号：
FSL136HRL
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > AC DC 转换器，离线开关
系列：
FPS™
包装：
散装
输出隔离：
隔离
内部开关：
是
电压 - 击穿：
650V
拓扑：
反激
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
8V ~ 26V
占空比：
77%
频率 - 开关：
100kHz
故障保护：
限流，过载，超温，过压，短路
工作温度：
-40°C ~ 105°C（TA）
封装/外壳：
8-SMD，鸥翼
供应商器件封装：
8-LSOP
安装类型：
表面贴装型
描述：
IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8LSOP

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