选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
|
Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
|||
|
深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
|
1050 |
23+ |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
||||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
|
650 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
||||
|
深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
|
INFINEONSMD |
563 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
|||
|
深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
|
英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
||||
|
深圳市华来深电子有限公司11年
留言
|
INFINEONIGBT |
200 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
|||
|
深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
|
INFINEONN/A |
1689 |
21+ |
全新原装现货诚信经营 |
|||
|
浙江永芯科技有限公司4年
留言
|
InfineonNA |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
|||
|
深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
|
英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
||||
|
深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
|
INFINEON/英飞凌?Module |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
|||
|
深圳市瀚珑科技有限公司2年
留言
|
INFINEON/英飞凌SMD |
10250 |
24+ |
只做原装现货13691986278微信 |
|||
|
深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
|
500 |
23+ |
全新原装现货,价格优势 |
||||
|
深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
|
INFINEONSMD |
563 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
917 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
||||
|
深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
|
infineon/英飞凌NA |
7000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
深圳市正纳电子有限公司7年
留言
|
Infineon(英飞凌)NA |
20094 |
23+ |
原装正品 可支持验货,欢迎咨询 |
|||
|
深圳市特莱科技有限公司6年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-263 |
1500 |
21+23+ |
16年电子元件供应商 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
|
Infineon/英飞凌 |
980 |
1950+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
|
绿盛电子(香港)有限公司5年
留言
|
INF |
26976 |
2018+ |
代理原装现货/特价热卖! |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Infineon(英飞凌)NA/ |
8735 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
FS75R12W2T4采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
FS75R12W2T4图片
FS75R12W2T4价格
FS75R12W2T4价格:¥351.6732品牌:INFINEON
生产厂家品牌为INFINEON的FS75R12W2T4多少钱,想知道FS75R12W2T4价格是多少?参考价:¥351.6732。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,FS75R12W2T4批发价格及采购报价,FS75R12W2T4销售排行榜及行情走势,FS75R12W2T4报价。
FS75R12W2T4资讯
FS75R12W2T4中文资料Alldatasheet PDF
更多FS75R12W2T4功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 75A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FS75R12W2T4_B11功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 75A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: