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FSS9230D	文件：45.22 Kbytes Page：8 Pages	4A,-200V,1.60Ohm,RadHard,SEGRResistant,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FSS9230R	文件：45.22 Kbytes Page：8 Pages	4A,-200V,1.60Ohm,RadHard,SEGRResistant,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
GFC9230	文件：117.76 Kbytes Page：1 Pages	PChannelPowerMOSFET	GSGGunter Seniconductor GmbH. Gunter Seniconductor GmbH.	GSG
IRF9230	文件：22.19 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF9230	文件：115.08 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedP-ChannelPowerMOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF9230	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRF9230	文件：72.62 Kbytes Page：7 Pages	-5.5Aand-6.5A,-150Vand-200V,0.8and1.2Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs Description ThesedevicesareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedfor	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRF9230	文件：149.8 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORSP-CHANNEL(Vdss=-200V,Rds(on)=0.80ohm,Id=-6.5A) ProductSummary TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorrever	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFE9230	文件：203.34 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) BVDSS-200V RDS(on)0.80Ω ID-4.0A Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesignerstheextraflexibilitytheyneedt	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFE9230	文件：16.88 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFET VDSS-200V ID(cont)-3.6A RDS(on)0.825Ω FEATURES •SURFACEMOUNT •SMALLFOOTPRINT •HERMETICALLYSEALED •DYNAMICdv/dtRATING •AVALANCHEENERGYRATING •SIMPLEDRIVEREQUIREMENTS •LIGHTWEIGHT	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFE9230	文件：205.56 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFF9230	文件：115.08 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedP-ChannelPowerMOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFF9230	文件：16.69 Kbytes Page：1 Pages	P-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF9230	文件：135.28 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE(TO-205AF) 200V,P-CHANNEL TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.TheHEXFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFF9230	文件：328.01 Kbytes Page：7 Pages	-4.0A,-200V,0.800Ohm,P-ChannelPowerMOSFET ThisP-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRFP9230	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRFY9230	文件：52.01 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETFORHI-RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRH9230	文件：154.76 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORP-CHANNEL(BVdss=-200V,Rds(on)=0.8ohm,Id=-6.5A) 200Volt,0.8Ω,RADHARDHEXFET InternationalRectifier’sP-ChannelRADHARDtechnologyHEXFETsdemonstrateexcellentthresholdvoltagestabilityandbreakdownvoltagestabilityattotalradiationdosesashighas105Rads(Si).Underidenticalpre-andpost-radiationtestconditions,Internationa	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRH9230	文件：64.94 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRHE9230	文件：128.77 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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详细参数

型号：
FRM9230R
制造商：
INTERSIL
制造商全称：
Intersil Corporation
功能描述：
4A, -200V, 1.30 Ohm, Rad Hard, P-Channel Power MOSFETs

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更多FRM9230R供应商更新时间2024-5-30 13:08:00

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