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FQU2N60中文资料PDF规格书

FQU2N60
厂商型号

FQU2N60

功能描述

600V N-Channel MOSFET

文件大小

561.14 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-17 23:14:00

FQU2N60规格书详情

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supply.

Features

• 2.0A, 600V, RDS(on) = 4.7Ω @VGS = 10 V

• Low gate charge ( typical 9.0 nC)

• Low Crss ( typical 5.0 pF)

• Fast switching

• 100 avalanche tested

• Improved dv/dt capability

产品属性

  • 型号:

    FQU2N60

  • 功能描述:

    MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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