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2N50	文件：173.38 Kbytes Page：6 Pages	2Amps,500VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N50	文件：181.74 Kbytes Page：6 Pages	2A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N50KG-TMS-T	文件：208.82 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELJUNCTINSILICONFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N50KG-TND-R	文件：208.82 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELJUNCTINSILICONFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N50KL-TMS-T	文件：208.82 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELJUNCTINSILICONFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N50KL-TND-R	文件：208.82 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELJUNCTINSILICONFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N50K-TA	文件：208.82 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELJUNCTINSILICONFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
FQB2N50	文件：732.63 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET 500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD2N50	文件：726.56 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD2N50B	文件：597.16 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQI2N50	文件：732.63 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET 500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQNL2N50B	文件：598 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQNL2N50B	文件：786.61 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelQFETMOSFET500V,0.35A,5.3 Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQNL2N50BTA	文件：786.61 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelQFETMOSFET500V,0.35A,5.3 Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP2N50	文件：717.42 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF2N50	文件：714.55 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET 500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU2N50	文件：726.56 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU2N50B	文件：597.16 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU2N50B	文件：330.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KQB2N50	文件：62.93 Kbytes Page：2 Pages	500VN-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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详细参数

型号：
FQU2N50BTU_WS
功能描述：
MOSFET Power MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FQU2N50BTU_WS供应商更新时间2024-6-13 18:31:00

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