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FQPF6N45	文件：589.24 Kbytes Page：8 Pages	450V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
6N45	文件：67.98 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQB6N45	文件：582.12 Kbytes Page：9 Pages	450VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQI6N45	文件：582.12 Kbytes Page：9 Pages	450VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP6N45	文件：571.41 Kbytes Page：8 Pages	450VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFM6N45	文件：32.82 Kbytes Page：4 Pages	6A,450Vand500V,1.250Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsspecificallydesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedand	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFP6N45	文件：32.82 Kbytes Page：4 Pages	6A,450Vand500V,1.250Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsspecificallydesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedand	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil

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