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FQP9N90C中文资料PDF规格书

FQP9N90C
厂商型号

FQP9N90C

功能描述

900V N-Channel MOSFET

文件大小

842.04 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-2 17:00:00

FQP9N90C规格书详情

Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Features

• 8 A, 900V, RDS(on) = 1.4 Ω @VGS = 10 V, ID = 4 A

• Low Gate Charge (Typ. 45 nC)

• Low Crss (Typ. 14 pF)

• 100 Avalanche Tested

产品属性

  • 型号:

    FQP9N90C

  • 功能描述:

    MOSFET 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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