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IXFI7N80P	文件：327.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.44Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFI7N80P	文件：146.22 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●Internationalstandardpackages ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ●Easytomount ●Spacesavings ●Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFM7N80	文件：276.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFM7N80	文件：78.2 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode Highdv/dt,Lowtrr,HDMOSTMFamily Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodrive	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFP7N80	文件：295.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.44Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFP7N80P	文件：260.55 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFP7N80P	文件：146.22 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●Internationalstandardpackages ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ●Easytomount ●Spacesavings ●Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFP7N80P	文件：152.81 Kbytes Page：4 Pages	PolarHiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ●InternationalStandardPackages ●Dynamicdv/dtRating ●AvalancheRated ●FastIntrinsicRectifier ●LowQG Applications ●DC-DCConverters ●BatteryChargers ●Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFP7N80PM	文件：86.45 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
JCS7N80CH-O-C-N-B	文件：961.4 Kbytes Page：9 Pages	Electronicballast	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
JCS7N80FH-O-F-N-B	文件：961.4 Kbytes Page：9 Pages	Electronicballast	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
JCS7N80H	文件：961.4 Kbytes Page：9 Pages	Electronicballast	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
JMP7N80A	文件：283.281 Kbytes Page：6 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
KF7N80P	文件：403.07 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELD GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=800V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KSM7N80	文件：1.87991 Mbytes Page：6 Pages	800VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMB7N80	文件：691.15 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF7N80	文件：664.71 Kbytes Page：4 Pages	Lowgatecharge.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MS7N80	文件：991.88 Kbytes Page：6 Pages	800VN-ChannelMOSFET	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司	BWTECH
MSB7N80	文件：1.01437 Mbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司	BWTECH
MSF7N80	文件：883.48 Kbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司	BWTECH

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更多FQF7N80C供应商更新时间2024-6-11 9:28:00

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