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PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.30ohm,Id=9.3A) Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | IRF |
详细参数
- 型号:
FQD630TM
- 功能描述:
MOSFET 200V N-Ch QFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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onsemi(安森美) |
23+ |
TO-252 |
9555 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
FAI |
2018+ |
TO252 |
6528 |
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询价 | ||
harris |
16+ |
原厂封装 |
10000 |
全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询 |
询价 | ||
FAI |
22+23+ |
TO252 |
75561 |
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24+ |
TO-252 |
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VB |
2019 |
TO-252(D |
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FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
9850 |
原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
SOT-252 |
265209 |
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FAIRCHILD仙童 |
23+ |
DPAK |
10000 |
公司只做原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
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更新时间2024-6-14 15:14:00
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