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FQD2N80TM中文资料PDF规格书

FQD2N80TM
厂商型号

FQD2N80TM

功能描述

N-Channel QFET MOSFET

文件大小

731.24 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-26 23:44:00

FQD2N80TM规格书详情

Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Features

• 1.8 A, 800 V, RDS(on) = 6.3 Ω (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 0.9 A

• Low Gate Charge (Typ. 12 nC)

• Low Crss (Typ. 5.5 pF)

• 100 Avalanche Tested

• RoHS Compliant

产品属性

  • 型号:

    FQD2N80TM

  • 功能描述:

    MOSFET 800V N-Channel QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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