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AE413RAD	文件：191.37 Kbytes Page：2 Pages	OutgassingCompliantChipInductors	COILCRAFTCoilcraft 线艺	COILCRAFT
AH413	文件：657.84 Kbytes Page：8 Pages	LatchTypeHallSensor	AHNJNANJING AH ELECTRONICS CO., LTD AH电子南京AH电子科技有限公司	AHNJ
AN_W413	文件：225.01 Kbytes Page：2 Pages	WIFIAntenna	MASWELLSuzhou Maswell Communication Technology Co. Ltd 迈斯维苏州迈斯维通信技术有限公司	MASWELL
AN413	文件：216.14 Kbytes Page：45 Pages	InitializationoftheST9	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
AOD413	文件：1.41166 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-40V ●ID=-12A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AOD413	文件：120.7 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD413usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.WiththeexcellentthermalresistanceoftheDPAKpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.StandardProductAOD413isPb-free(meets	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD413	文件：347.96 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD413A	文件：3.39389 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFETl Features Vos=-40VID=-30A ROS(ON)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
AOD413A	文件：212.62 Kbytes Page：6 Pages	40VP-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD413A	文件：309.66 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=-12A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=-40V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=11mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lo	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD413A	文件：157.21 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD413AusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.WiththeexcellentthermalresistanceoftheDPAKpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications. Features VDS(V)=-40V ID=-12A(VGS	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD413L	文件：120.7 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD413usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.WiththeexcellentthermalresistanceoftheDPAKpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.StandardProductAOD413isPb-free(meets	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD413Y	文件：117.47 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD413YusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.WiththeexcellentthermalresistanceoftheDPAKpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.StandardproductAOD413YisPbfree,ins	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD413Y	文件：319.52 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=-40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=44mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD413YL	文件：117.47 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD413YusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.WiththeexcellentthermalresistanceoftheDPAKpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.StandardproductAOD413YisPbfree,ins	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOI413	文件：1.63392 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel40V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOI413	文件：297.73 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=-45A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=-40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=17mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOI413A	文件：976.68 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel40V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOU413	文件：72.34 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU413usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.WiththeexcellentthermalresistanceoftheDPAKpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.StandardProductAOU413isPb-free(meets	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOU413	文件：977.27 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel40V(D-S)MOSFET FEATURES •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
FPD413
功能描述：
Optoelectronic

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FPD413供应商更新时间2024-6-5 10:20:00

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