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CD0865A	文件：1.15836 Mbytes Page：4 Pages	Excellenthighfrequencyperformance	TTELECTT Electronics. 梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
CD0865A	文件：1.17579 Mbytes Page：4 Pages	CeramicBallGridTerminationArrays	TTELECTT Electronics. 梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
CD0865B	文件：1.17579 Mbytes Page：4 Pages	CeramicBallGridTerminationArrays	TTELECTT Electronics. 梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
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FFSB0865A	文件：316.01 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSB0865A	文件：293.38 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode650V,8A Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSB0865B	文件：335.75 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiode–EliteSiC,8A,650V,D2,D2PAK-2L SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSiliconCarbide	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSB0865B	文件：382.1 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSD0865A	文件：437.59 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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FFSM0865B	文件：224.28 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSP0865A	文件：234.13 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode650V,8A Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSP0865A	文件：272.97 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier FEATURES ·HighSurgeCurrentCapacity ·EasyOfParalleling ·NoReverseRecovery APPLICATIONS ·SMPS ·UPS ·PowerSwitchingCircuits	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
P0865	文件：136.17 Kbytes Page：4 Pages	TREKP0865 APPLICATIONS ChargeaccumulationmonitoringoftheLCDproductionprocesses Monitoringsurfacepotentialsintheelectrostaticpaintingprocess Researchanddevelopmentintheelectrophotographicprocess Measuringelectrostaticpotentialsonpolymers,rubber,fabrics,andpaper	ADVANCEDENERGYAdvanced Energy Industries, Inc. 先进能源先进能源工业公司	ADVANCEDENERGY
P0865ETF	文件：216.4 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelHighVoltageModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNiko Semiconductor Co.,Ltd. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
P0865VD	文件：204.83 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelHighVoltageModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNiko Semiconductor Co.,Ltd. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
P0865VTF	文件：204.12 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelHighVoltageModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNiko Semiconductor Co.,Ltd. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
PCDP0865GB	文件：331 Kbytes Page：5 Pages	SiliconCarbideSchottkyBarrierDiode Features TemperatureIndependentSwitchingBehavior HighSurgeCurrentCapability CompetitiveVF1.3Vatratedcurrent LowConductionLoss ZeroReverseRecovery Highjunctiontemperature175oC LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PCDP0865GC	文件：332.75 Kbytes Page：5 Pages	SiliconCarbideSchottkyBarrierDiode Features TemperatureIndependentSwitchingBehavior HighSurgeCurrentCapability LowSwitchingLoss ZeroReverseRecovery Highjunctiontemperature175oC LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard Application PFC,UPS,PV	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PKB0865	文件：150.39 Kbytes Page：7 Pages	RadialLeadedInductors	ECMECM Electronics Limited. ECM电子ECM电子有限公司	ECM

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更多FPD0865EZA供应商更新时间2024-4-29 13:51:00

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