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FP6186XR-G1	文件：622.49 Kbytes Page：17 Pages	2A, 23V, 1.4MHz Step-Down Converter	FEELINGFEELING 遠翔科技遠翔科技股份有限公司
6186	文件：417.4 Kbytes Page：3 Pages	PrecisionPotentiometer/PositionSensor	BITECH 瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司
AIC6186	文件：222.45 Kbytes Page：9 Pages	0.5ADualUSBHigh-SidePowerSwitch	AIC AIC
AOZ6186	文件：518.88 Kbytes Page：10 Pages	High-SpeedUSB2.0(480Mbps)DPDTSwitch	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
CEB6186	文件：438.96 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,33A,RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEB6186A	文件：454.96 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,33A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=25mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CED6186	文件：421.58 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,28A,RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=38mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CED6186A	文件：436.45 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,30.6A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=25mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEM6186	文件：619.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,8A,RDS(ON)=26mW@VGS=10V. RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEM6186	文件：408.17 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,8A,RDS(ON)=26mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEM6186A	文件：636.87 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,8.1A,RDS(ON)=21mW@VGS=10V. RDS(ON)=28mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEP6186	文件：438.96 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,33A,RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEP6186A	文件：454.96 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,33A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=25mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEU6186	文件：421.58 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,28A,RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=38mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEU6186A	文件：436.45 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,30.6A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=25mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEZC6186	文件：957.73 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,24A,RDS(ON)=24mW@VGS=10V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. RDS(ON)=30mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEZC6186A	文件：964.4 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,26A,RDS(ON)=20.5mW@VGS=10V. RDS(ON)=28mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
FP6186	文件：622.49 Kbytes Page：17 Pages	2A,23V,1.4MHzStep-DownConverter	FEELINGFEELING 遠翔科技遠翔科技股份有限公司
ISL6186	文件：722.32 Kbytes Page：18 Pages	USBPortPowerSupplyController	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
ISL6186	文件：9.95425 Mbytes Page：44 Pages	Providinghigh-performancesolutionsforeverylinkinthesignalchain	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市芯祺盛科技有限公司	FP6186XR-G1	FP	12+	SOP8	1553	进口环保原盘原标	询价
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更多FP6186XR供应商更新时间2024-4-28 12:12:00

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