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FP100R12KT4	文件：399.13 Kbytes Page：11 Pages	EconoPIM3 module with trench/fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode EconoPIM™3modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmCon4diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP100R12KT4	文件：673.71 Kbytes Page：11 Pages	EconoPIM3 Modul mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP100R12KT4_B11	文件：602.4 Kbytes Page：12 Pages	EconoPIM3 module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC ElectricalFeatures •LowSwitchingLosses •Tvjop=150°C •VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient •LowVCEsat MechanicalFeatures •HighPowerandThermalCyclingCapability •IntegratedNTCtemperaturesensor •CopperBasePlate •PressFITContactTechnology •StandardHousing	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP100R12KT4_13	文件：673.71 Kbytes Page：11 Pages	EconoPIM3 Modul mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP100R12KT4_B11	文件：874.39 Kbytes Page：12 Pages	EconoPIM3 Modul mit schnellem Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP100R12KT4_B11_13	文件：874.39 Kbytes Page：12 Pages	EconoPIM3 Modul mit schnellem Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP100R12KT4B11BOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 100A 515W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP100R12KT4BOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 100A 515W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP100R12KT4PBPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FS100R12KT4	文件：301.78 Kbytes Page：8 Pages	EconoPACK2modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlled4Diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FS100R12KT4G	文件：312.51 Kbytes Page：8 Pages	EconoPACK3modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmCon4diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

详细参数

型号：
FP100R12KT4
功能描述：
IGBT 模块 IGBT-MODULE
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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