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817A	文件：61.12 Kbytes Page：9 Pages	PNPMEDIUMPOWERTRANSISTOR Description TheSTF817A-STN817AarePNPtransistormanufacturedusingPlanarTechnologyresultinginruggedhighperformancedevices. Generalfeatures ■SURFACE-MOUNTINGDEVICESINMEDIUMPOWERSOT-223ANDSOT-89PACKAGES ■AVAILABLEINTAPE&REELPACKING Applications ■VOLTAGEREGULA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
817B	文件：66.99 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountZenerDiodes Features ●latHandlingSurfaceforAccuratePlacement ●tandardZenerBreakdownVoltageRange-3.3Vto68V ●owProfilePackage	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
817B	文件：698.6 Kbytes Page：5 Pages	HighDensityMountingTypePhotocoupler	LITEONLiteon Semiconductor Corporation 敦南科技股份	LITEON
817B	文件：560.4 Kbytes Page：14 Pages	PropertyofLite-OnOnly HighDensityMountingTypePhotocoupler Features Currenttransferratio(CTR:MIN.50atIF=5mA,VCE=5V) Highinput-outputisolationvoltage:(VISO:5,000Vrms) Compactdual-in-linepackage LTV-817:1-channeltype LTV-827:2-channeltype LTV-847:4-channeltype	LITEONLiteon Semiconductor Corporation 敦南科技股份	LITEON
817B	文件：1.63514 Mbytes Page：8 Pages	Modulink??880MPSeriesFloorBoxes	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
817B	文件：2.89961 Mbytes Page：5 Pages	817photocouplerconsistofonepieceofGaAsemitterandonepieceofNPNtransistor CurrentConversionRatio(Min50WorkingConditionIF=5mA,VCE=5V) InsulationVoltage=5,000Vrms ResponseTime(tr:TYP.4μsworkingconditionVCE=2V,IC=2mA,RL=100Ω) ULapproved:UL1577,fileNo.E492440	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
817D	文件：698.6 Kbytes Page：5 Pages	HighDensityMountingTypePhotocoupler	LITEONLiteon Semiconductor Corporation 敦南科技股份	LITEON
817PCC-BLK	文件：1.63514 Mbytes Page：8 Pages	Modulink??880MPSeriesFloorBoxes	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
817PCC-BRN	文件：1.63514 Mbytes Page：8 Pages	Modulink??880MPSeriesFloorBoxes	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
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817TCAL-BS	文件：1.63514 Mbytes Page：8 Pages	Modulink??880MPSeriesFloorBoxes	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
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A817	文件：496.44 Kbytes Page：9 Pages	4-PINPHOTOTRANSISTOROPTOCOUPLERS DESCRIPTION TheH11AA814Seriesconsistsoftwogalliumarsenideinfraredemittingdiodes,connectedininverseparallel,drivingasinglesiliconphototransistorina4-pindualin-linepackage. TheH11A617andH11A817Seriesconsistsofagalliumarsenideinfraredemittingdiodedrivingasili	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
A817A	文件：150.31 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(DRIVERSTAGE,VOLTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONS) Driver-StageAmplifierApplications VoltageAmplifierApplications •Complementaryto2SC1627A. •Driverstageapplicationof30to35wattsamplifiers.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
A817ERW	文件：196 Kbytes Page：2 Pages	LowCost,8WDIPWideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
A817V	文件：247.37 Kbytes Page：7 Pages	PhototransistorOptocouplerHighDensityMountingType HCPL-817-060E->Marking:A817V TheHCPL-817containsalightemittingdiodeopticallycoupledtoaphototransistor.Itispackagedina4-pinDIPpackageandavailableinwide-leadspacingoptionandleadbendSMDoption.Input-outputisolationvoltageis5000Vrms. Responsetime,	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
AD817	文件：208.88 Kbytes Page：12 Pages	HighSpeed,LowPowerWideSupplyRangeAmplifier PRODUCTDESCRIPTION TheAD817isalowcost,lowpower,single/dualsupply,highspeedopampwhichisideallysuitedforabroadspectrumofsignalconditioninganddataacquisitionapplications.Thisbreakthroughproductalsofeatureshighoutputcurrentdrivecapabilityandtheabilitytodriv	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD817	文件：322.43 Kbytes Page：12 Pages	HighSpeed,LowPowerWideSupplyRangeAmplifier PRODUCTDESCRIPTION TheAD817isalowcost,lowpower,single/dualsupply,highspeedopampwhichisideallysuitedforabroadspectrumofsignalconditioninganddataacquisitionapplications.Thisbreakthroughproductalsofeatureshighoutputcurrentdrivecapabilityandtheabilitytodriv	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

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详细参数

型号：
FOD817DW
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Output
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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