选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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ON/安森美TSOP-6 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TSOP6 |
7906200 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ON/安森美TSOP-6 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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154204 |
23+ |
全新原装,有询必回 |
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深圳市莱克讯科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDSOT163 |
42500 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)SSOT-6 |
3022 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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ON/安森美SSOT-6 |
6000 |
23+ |
只做原装,假一赔十 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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FAIRCHILDSOT23-6 |
20000 |
19+ |
3000 |
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深圳市维基鸿电子有限公司13年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT23-6 |
10000 |
23+ |
全新原装现货库存 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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FAIRCHILDSOT23-6 |
6000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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FAIRCHILDSOT23-6 |
35200 |
21+ |
全新原装现货/假一罚百! |
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深圳市冠亿通科技有限公司5年
留言
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ON/安森美 |
25000 |
21+ |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT23-6 |
18000 |
21+ |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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ONSOT23-6 |
2370 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SSOT-6 |
8080 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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FAIRCHILDSOT23-6 |
5185 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)SSOT6 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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FAIRCHILDNA |
2470 |
23+ |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT-6 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT-6 |
8 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
FMBM555采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
FMBM555图片
FMBM5551价格
FMBM5551价格:¥0.6549品牌:Fairchild Semiconductor
生产厂家品牌为Fairchild Semiconductor的FMBM5551多少钱,想知道FMBM5551价格是多少?参考价:¥0.6549。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,FMBM5551批发价格及采购报价,FMBM5551销售排行榜及行情走势,FMBM5551报价。
FMBM5551中文资料Alldatasheet PDF
更多FMBM5551功能描述:两极晶体管 - BJT SSOT6 NPN General Purpose Amplifier RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
FMBM5551_SB16001功能描述:TRANSISTOR NPN 160V 600MA SSOT-6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR