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FMBL1G300US60	文件：693.03 Kbytes Page：9 Pages	Molding Type Module GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)powermodulesprovidelowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.Theyaredesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswhereshortci	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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制造商&上传企业

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FMBL1G300US60

文件：693.03 Kbytes

Page：9 Pages

Molding Type Module

GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)powermodulesprovidelowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.Theyaredesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswhereshortci

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

详细参数

型号：
FMBL1G300US60
功能描述：
IGBT 模块
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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