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FMBL1G200US60中文资料PDF规格书

FMBL1G200US60
厂商型号

FMBL1G200US60

功能描述

Molding Type Module

文件大小

699.75 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-17 23:14:00

FMBL1G200US60规格书详情

General Description

Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) power modules provide low conduction and switching losses as well as short circuit ruggedness. They are designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies (UPS) and general inverters where short circuit ruggedness is a required feature.

Features

• UL Certified No. E209204

• Short circuit rated 10us @ TC = 100°C, VGE = 15V

• High speed switching

• Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.2 V @ IC = 200A

• High input impedance

• Fast & soft anti-parallel FWD

Application

• Boost (Step Up) Converter

产品属性

  • 型号:

    FMBL1G200US60

  • 功能描述:

    IGBT 模块

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 产品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装/箱体:

    34MM

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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