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FMH19N60E	文件：562.42 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFETFeatures	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FMH19N60ES	文件：580.12 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FMR19N60E	文件：551.11 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FMR19N60ES	文件：570.84 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FMR19N60ES	文件：324.34 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FMV19N60E	文件：525.87 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FMV19N60ES	文件：568.25 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FQA19N60	文件：545.55 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA19N60	文件：363.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=18.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQAF19N60	文件：421.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=11.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQAF19N60	文件：526.05 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HFH19N60	文件：716.54 Kbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW

详细参数

型号：
FMA19N60ESC-P
制造商：
Fuji Electric

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	FMA19N60E功率三极管	FUJITSU/富士通	23+	TO220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳廊盛科技有限公司	FMA19N60E功率三极管	FUJITSU/富士通	23+	TO220F	20000	原装正品欢迎咨询	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	FMA19N60E功率三极管	FUJITSU/富士通	24+	TO220F	58000	全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!	询价
深圳兆威电子有限公司	FMA19N60E其他被动元件	FUJITSU/富士通	23+	TO-220F	90000	只做原厂渠道价格优势可提供技术支持	询价
深圳市华集芯实业有限公司	FMA19N60E其他被动元件	FUJI/富士电机	23+	TO-220F	6000	公司十几年如一日,只做原装正品,优势渠道保证每一片	询价
深圳市一线半导体有限公司	FMA1A	ROHM	2008++	SOT-153SOT-23-5	8600	新进库存/原装	询价
深圳市博浩通科技有限公司	FMA1A	ROHM	23+	SOT23-5	9365	价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	FMA1A	ROHM	23+	SOT153	11092		询价
深圳市弘为电子有限公司	FMA1A	ROHM	16+	SOT23-5	8200	原装现货假一罚十	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	FMA1A	KEXIN	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价

更多FMA19N60ESC-P供应商更新时间2024-6-8 10:59:00

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