| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-126F |
3585 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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ON/安森美TO-126 |
30000 |
2410+ |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-126 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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FAIRCTO-126 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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FAIRCTO-126 |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO126 |
6000 |
23+ |
原装房间现货可出样品 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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FSCTO-126 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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FAIRCTO-126 |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-126 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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INFINOEND2PAK(TO |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-126 |
10000 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳市芯为科技有限公司5年
留言
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FAIRCTO-126 |
16800 |
2023+ |
芯为只有原装,公司现货 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO126 |
19000 |
21+ |
只做正品原装现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)TO-126 |
2260 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-126 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-126 |
68900 |
FSC |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市盈腾兴电子科技有限公司8年
留言
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ON/安森美TO-126-3 |
8080 |
21+ |
公司只做原装,诚信经营 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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onsemi(安森美)TO126 |
6000 |
23+ |
诚信服务，绝对原装原盘 |
FJE3303采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
FJE3303图片
FJE3303H1TU价格
FJE3303H1TU价格：￥0.8950品牌：Fairchild
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FJE3303H2TU中文资料Alldatasheet PDF
更多FJE3303制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage Switch Mode Applications
FJE3303H1制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage Switch Mode Applications
FJE3303H1TU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 70 0V/1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
FJE3303H2功能描述:两极晶体管 - BJT Silicon Transistor NPN Sil Xstr Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
FJE3303H2TU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 70 0V/1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
FJE3303TU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 70 0V/1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
