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SIHB4N80E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SIHD4N80E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SIHD4N80E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

·FEATURES ·DrainCurrent–ID=4.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on):1.27Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·UltraLowOn-resistance

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

SIHP4N80E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

SIHP4N80E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Se

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SIHU4N80AE

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Loweffectivecapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SIHU4N80E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SSH4N80

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

SSH4N80

N-CHANNELPOWERMOSFETS

SamsungSamsung Group

三星三星半导体

SSH4N80AS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

SSI4N80A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

SSI4N80AS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

SSP4N80

improvedinductiveruggedness

SamsungSamsung Group

三星三星半导体

SSP4N80A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

SSP4N80AS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

SSP4N80AS

AvalancheRuggedTechnology

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

SSS4N80

PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

SSS4N80A

PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

SSS4N80A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

SSS4N80AS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FS(福斯特半导体)
1年内
TO-252
10000
现货;应用场景:电源适配器,PD快充,无人机,电动工
询价
FIRST
24+25+/26+27+
TO-252-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
询价
FIRST/福斯特
2048+
TO-220F/251/252
9851
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
询价
VB
2019
TO-220F
55000
绝对原装正品假一罚十!
询价
First
23+
TO-TO-220F
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
询价
FIRST/福斯特
23+
TO-220F
10000
公司只做原装正品
询价
First
TO-220F
22+
6000
十年配单,只做原装
询价
FIRST/福斯特
2022+
TO-220F
79999
询价
FIRST/福斯特
2022+
TO-220F
30000
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十
询价
FIRST/福斯特
2022+
TO-220F
30000
进口原装现货供应,原装 假一罚十
询价
更多FIR4N80LG供应商 更新时间2024-6-13 10:02:00