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FII30-12E分立半导体产品晶体管-IGBT-阵列规格书PDF中文资料

FII30-12E
厂商型号

FII30-12E

参数属性

FII30-12E 封装/外壳为i4-Pac™-5;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 阵列;产品描述:IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5

功能描述

NPT3 IGBT
IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5

文件大小

72.4 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-6 14:17:00

FII30-12E规格书详情

Features

• NPT3 IGBT

- positive temperature coefficient of saturation voltage for easy paralleling

- fast switching

- short tail current for optimized performance in resonant circuits

• HiPerFREDTM diode

- fast reverse recovery

- low operating forward voltage

- low leakage current

• ISOPLUS i4-PACTM package

- isolated back surface

- low coupling capacity between pins and heatsink

- enlarged creepage towards heatsink

- application friendly pinout

- low inductive current path

- high reliability

- industry standard outline

- UL registered, E 72873

Applications

• single phaseleg

- buck-boost chopper

• H bridge

- power supplies

- induction heating

- four quadrant DC drives

- controlled rectifier

• three phase bridge

- AC drives

- controlled rectifier

FII30-12E属于分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 阵列。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的FII30-12E晶体管 - IGBT - 阵列绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是高效且快速切换的三端功率半导体器件,主要用作电子开关。这些器件用于变频驱动器 (VFD)、电动汽车、火车、灯镇流器和空调等大功率应用中的开关电源,并可用于开关放大器——音响系统和工业控制系统。IGBT 阵列在一个封装中包含多个器件,并且采用全桥或半桥配置。

产品属性

  • 产品编号:

    FII30-12E

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 阵列

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 配置:

    半桥

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.9V @ 15V,20A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    i4-Pac™-5

  • 供应商器件封装:

    ISOPLUS i4-PAC™

  • 描述:

    IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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