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FGP7N60RUFDTU中文资料PDF规格书

FGP7N60RUFDTU
厂商型号

FGP7N60RUFDTU

功能描述

600V, 7A RUF IGBT CO-PAK

文件大小

1.7082 Mbytes

页面数量

9

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-20 22:30:00

FGP7N60RUFDTU规格书详情

Description

Fairchilds Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) provides low conduction and switching losses.The device is designed for Motor applications where ruggedness is a required feature.

Features

• High speed switching

• Low saturation voltage : VCE(sat) = 1.95 V @ IC = 7A

• High input impedance

• CO-PAK, IGBT with FRD : trr = 50 ns (typ.)

• Short Circuit rated, 10us @ TC=100°C, VGE=15V, VCE=300V

Applications

Motor controls and general purpose inverters.

产品属性

  • 型号:

    FGP7N60RUFDTU

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 600V 7A RUF IGBT CO-PAK

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

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